专利名称:一种硒化钨薄膜的制备方法
专利类型:国家发明专利
申请人:中南大学
发明人:李栋、徐润泽、郭学益、田庆华
专利号:CN201710801157.8
授权公告日:2019.04.19
摘要:本发明公开了一种硒化钨薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、将阴极片的表面清洗干净,并烘干;S2、配置含硒和钨酸性溶液,并对所得含硒和钨的酸性溶液进行除氧;S3、以步骤S2所得含硒和钨的酸性溶液作为电化学沉积液,以步骤S1所得阴极片作为对电极,以饱和甘汞为参比电极,以铂片作为工作电极,进行电化学沉积,在阴极片上沉积形成硒化钨薄膜,其中沉积电压为0.3V~0.7V,沉积温度为25℃~80℃,沉积时间为1min~20min;S4、电化学沉积结束后,取出硒化钨薄膜,并进行清洗和烘干,即得。该方法所得产品为形貌、厚度可控、颗粒状聚集、分布均匀、排列紧密的硒化钨薄膜。