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国家发明专利:一种引导晶体生长制备高致密度、高电导率石榴石型电解质片的方法

来源:  发布时间:2021年08月03日 作者:

专利名称:一种引导晶体生长制备高致密度、高电导率石榴石型电解质片的方法法

专利类型:国家发明专利

申请人:江西理工大学

发明人:李栋、赖华、雷超、姚文俐、梁彤祥、钟盛文

专利号:201811016882.5

授权公告日:2021.8.3




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