现光生载流子的快速输运和物理空间高效分离是获得高性能光伏器件的必要条件。这需要载流子在光吸收层具有高迁移率和低复合率，其在光吸收层和电子/空穴传输层界面处的分离和后续输运同样对器件性起着决定影响。科研人员研制出晶粒尺寸接近微米量级的高性能卤化铅钙钛矿多晶薄膜，光生载流子在这些薄膜中的有效扩散长度超过薄膜厚度，能够以极低的复合率快速输运。钙钛矿薄膜制备技术的进步带来了器件性能大幅度提升，使得器件界面性质成为制约钙钛矿太阳能电池发展的主要因素。

对于正型结构钙钛矿太阳能电池，通过在钙钛矿薄膜表面构建二维/三维异质结构已被证实可以有效调控器件顶界面的能级结构，从而提高光生载流子的分离和后续输运效率。而由于界面修饰材料极易被后续钙钛矿薄膜制备过程破坏，器件的埋底界面（下界面，即钙钛矿光吸收层/电子传输层界面）的钝化修饰仍处于发展阶段。

近日，一金属研究所发展了一种重构器件埋底界面能级结构的方法。这种方法以自扩散掺杂工艺为基础，能够在钝化器件埋底界面缺陷的同时，实现界面光生载流子的高效分离。

科研人员在钙钛矿薄膜与二氧化锡（SnO2）电子传输层的界面处引入一种氨基酸衍生物L-天门冬氨酸钾（PL-A）来调控器件埋底界面的性质。研究发现，PL-A上的羧基（-COO-）能够与SnO2相互作用，钝化SnO2表面缺陷；同时，PL-A上的氨基（-NH2）与PbI2发生配位反应，钝化钙钛矿薄膜的下表面缺陷。在这些作用下，光生载流子在钙钛矿薄膜/电子传输层界面处的非辐射复合得以抑制。进一步分析发现，PL-A的钾离子能够扩散进入钙钛矿薄膜中，形成梯度掺杂，从而优化界面处钙钛矿一侧的能级结构，促进载流子在薄膜内的传输。计算结果表明，界面处的PL-A形成取向分布，所产生附加偶极能够调控SnO2功函数，从而减小开路电压（Voc）损失。

在上述这些作用的协同优化下，器件的性能得以显著提升。结合团队前期在器件顶界面性能优化的研究基础，光电能量转换效率最高可实现23.74%。此外，这种界面修饰工艺在大面积器件制备中也展现出良好的性能提升效果。